先端半導体の技術開発で新たに工程表を策定へ 日米が共同声明

アメリカを訪問中の西村経済産業大臣は26日、アメリカのレモンド商務長官と会談しました。会談のあと、先端半導体の技術開発に向けて、新たに工程表を策定することなどを柱とした、2国間の共同声明が発表されました。

アメリカのデトロイトを訪れている西村経済産業大臣は26日、アメリカのレモンド商務長官と会談しました。この中では、経済安全保障の分野などについて意見が交わされたということで、会談のあと2国間の共同声明が発表されました。

それによりますと、先端半導体の分野では、日米両国で技術開発や人材育成を共同で行うための工程表を策定することや、サプライチェーン=供給網のなかで、地理的な偏りがないか確認し、解決に向けて協力するなどとしています。

さらに、中国などのメーカーが高いシェアを占める携帯電話の基地局について「オープンRAN」と呼ばれる新たなネットワークのシェア拡大に向けた共通目標を設けることも確認しました。

会談のあと西村大臣は記者団に対して、日米の外務、経済閣僚によるいわゆる経済版「2プラス2」の早期の開催でも一致したと明らかにしました。

そのうえで「日米の経済安全保障協力のさらなる推進に向けて、今回の共同声明を弾みに、議論を加速させたい」と述べました。