萩生田経産相 米の半導体研究施設を視察 開発の連携強化へ

日本の半導体産業の国際競争力強化に向けて、萩生田経済産業大臣は、アメリカ・ニューヨーク州にある研究施設を視察し、次世代の半導体技術の研究開発でアメリカと連携を強化していく考えを示しました。

萩生田経済産業大臣は3日、アメリカ東部ニューヨーク州のオールバニにある半導体の研究施設を視察しました。

半導体をめぐっては、回路の線の幅をできるだけ細くする「微細化」の技術などで、性能を引き上げるための開発競争が激しくなっていて、経済産業省は、去年11月に公表した半導体産業復活の実行計画に、アメリカとの連携を強化し、次世代技術の確立を目指す方針を盛り込んでいます。

今回視察した施設は、ニューヨーク州と企業側が合わせて150億ドル、日本円で1兆9500億円以上をかけて整備した最先端の研究開発拠点で、萩生田大臣は半導体を試作する設備などについて説明を受けました。

また、施設で研究開発に携わる日米の企業の幹部とも意見を交わしました。

萩生田大臣は、アメリカ訪問中、レモンド商務長官など閣僚との会談を予定していて、視察のあと、記者団に対し「同じ価値観を持つ企業や国と連携していく必要性があると感じた。経済安全保障の必要性なども非常に高まっているので、日本とアメリカの連携を強化できるような話し合いをしていきたい」と述べました。